标题: 《国产碳化硅MOSFET突破eVTOL续航瓶颈,AOS万代高压器件同步发力》
技术趋势
SiC模块成低空经济核心:
能效跃升:SiC MOSFET开关损耗比IGBT降低50%,eVTOL逆变效率提升3%-5%,续航增加10%-15%4;
轻量化突破:高温耐受性(200℃+)简化散热系统,电驱重量减轻30%4;
成本下行:2025年国产SiC渗透率将达30%,推动系统成本降20%410。
代理品牌技术对标
应用场景 | AOS万代方案 | 国产替代方案 | 性能对比 |
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无刷电机驱动 | AOTL66912 (TOLL封装) | 瑶芯微YXSIC120R080 | Rds(on)≤1.5mΩ,Qg=45nC |
电池管理系统 | AO4407A | NCE新洁能NCE3005D | 静态电流<2μA,支持6kV ESD |
高压快充模块 | 650V SiC MOSFET | 中国电科55所750V/150A模块 | 导通损耗降低22%10 |
案例:大疆新款农业无人机采用瑶芯微SiC模块,载重比提升25%,日均作业面积增加40%5。
关键词标签:#无人机SiC方案
#eVTOL动力系统
#AOS高压MOSFET